표 4. | Table 4.
GaN HEMT 단위 소자에 대하여 추출된 비선형 모델 파라미터 값들(Cgd model) | Nonlinear model parameters extracted for a GaN HEMT unit device(Cgd model).
| Parameter | Value |
| C0_Cgd | 1.79422×10−13 F |
| C1_Cgd | 1.03653×10−12 F |
| C2_Cgd | 2.51129×10−12 F |
| A_Cgd | 3.72377×10−2 |
| B_Cgd | 2.44076 |
| Vm_Cgd | 5.48254 V |
| Vp_Cgd | −3.6 V |