표 3. | Table 3. 로드풀과 소스풀 시뮬레이션을 수행한 GaN HEMT Bare Die(CG2H80060D)소자의 최적화 소스 및 부하 임피던스 | Optimum source and load impedances of the GaN HEMT Bare Die(CG2H80060D) device using source-pull/load-pull simulation.

Frequency(GHz) 2.0 4.5 6.5
Z’S, source impedance(Ω) 0.77+j3.88 0.8+j0.65 0.81−j0.27
Z’L, load impedance(Ω) 5.28+j2.04 3.43+j3.10 2.13+j2.46
Pout W 64.6 63.1 57.4
dBm 48.1 48.0 47.59
Pin(dBm) 36.0 36.0 36.0
Power gain(dB) 12.1 12.0 11.59
PAE(%) 60.1 61.7 59.33
S21(dB) 21.9 19.55 16.45
S11(dB) −1.07 −4.95 −4.57
S22(dB) −1.53 −3.48 −7.55