표 3. | Table 3. 로드풀과 소스풀 시뮬레이션을 수행한 GaN HEMT Bare Die(CG2H80060D)소자의 최적화 소스 및 부하 임피던스 | Optimum source and load impedances of the GaN HEMT Bare Die(CG2H80060D) device using source-pull/load-pull simulation.
Frequency(GHz) | 2.0 | 4.5 | 6.5 |
Z’S, source impedance(Ω) | 0.77+j3.88 | 0.8+j0.65 | 0.81−j0.27 |
Z’L, load impedance(Ω) | 5.28+j2.04 | 3.43+j3.10 | 2.13+j2.46 |
Pout | W | 64.6 | 63.1 | 57.4 |
dBm | 48.1 | 48.0 | 47.59 |
Pin(dBm) | 36.0 | 36.0 | 36.0 |
Power gain(dB) | 12.1 | 12.0 | 11.59 |
PAE(%) | 60.1 | 61.7 | 59.33 |
S21(dB) | 21.9 | 19.55 | 16.45 |
S11(dB) | −1.07 | −4.95 | −4.57 |
S22(dB) | −1.53 | −3.48 | −7.55 |