표 2. | Table 2.
GaN HEMT 단위 소자에 대하여 추출된 비선형 모델 파라미터 값들(IV model) | Nonlinear model parameters extracted for a GaN HEMT unit device(IV model).
Parameter | Value |
Idss | 3.265 A |
Vp0 | 2.51156 V |
Vdsp | 3.40066 V |
Vphi | 0.68007 V |
A | 0.001 |
B | 0.64 |
M | 12.4876 |
P | 6.4×10−4 |
W | 0.56869 |
AlphaGmd | 0.39565 |
Vgm | 10.87527 V |
BetaGmd | 0.39846 |
Vdm | 290.58298 V |