표 2. | Table 2.
GaN HEMT 단위 소자에 대하여 추출된 비선형 모델 파라미터 값들(IV model) | Nonlinear model parameters extracted for a GaN HEMT unit device(IV model).

Parameter Value
Idss 3.265 A
Vp0 2.51156 V
Vdsp 3.40066 V
Vphi 0.68007 V
A 0.001
B 0.64
M 12.4876
P 6.4×10−4
W 0.56869
AlphaGmd 0.39565
Vgm 10.87527 V
BetaGmd 0.39846
Vdm 290.58298 V