표 2. | Table 2. 총 게이트 폭이 800 μm인 AlGaN/GaN HEMT 소자의 로드-풀 시뮬레이션 결과 | Results of load-pull simulation for total gate width 800 μm AlGaN/GaN HEMT.

항목 소스 로드
임피던스 3.2+j12.5 0.95+j11.3
최대 출력 전력 35.0 dBm