표 2. | Table 2. 총 게이트 폭이 800
μ
m인 AlGaN/GaN HEMT 소자의 로드-풀 시뮬레이션 결과 | Results of load-pull simulation for total gate width 800
μ
m AlGaN/GaN HEMT.
항목
소스
로드
임피던스
3.2+
j
12.5
0.95+
j
11.3
최대 출력 전력
35.0 dBm